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ntegrated Photonics已使数字通信时代依靠各级的光网络以非常高的速度和低成本传输数据。大规模数据中心需要高度集成的成本效益的光学通信解决方案，因为数据中心互连已成为主要成本因素之一。与光学互连相关的技术和经济必需品促进了当今普遍存在的1,300–1,600 nm范围内使用的两种综合光子技术平台的开发和快速成熟。这些平台通常用其材料基础来计数：（1）硅光子学和（2）基于磷化物（INP）基于磷化物（INP）的集成光子学。这两个平台的重要性远远超出了光电收发器和光学通信。硅光子学和基于INP的光子学都在Terahertz的产生和传感，高速信号处理以及潜在的神经形态计算中发现了应用。尽管硅光子学比INP整体光子学具有明显的优势，例如其可扩展性高达300毫米的晶片，并通过高速电子设备与高速电子设备协调，但使用INP 1、2实现了最终和基准的光电测量。基于INP的波导耦合光二极管，即使是几年前，也已经证明了170 GHz的3-DB带宽（F 3-DB），竞争激烈，竞争激烈，竞争势力为0.27 a w-1（参考文献3）。相比之下，在主要硅光子平台上可用的锗光二极管通常显示在50-70 GHz范围内的带宽（参考文献。4 - 7）。以外，具有F 3-DB≈120GHz和相当高的深色cur的细菌光电二极管的演示脱颖而出，由于测量限制8，关于带宽的不确定性8。在本文中，我们证明了一个真正的硅光子光子检测器，从光扣带宽和响应性方面接近最终性能，这是一种基于表面上种植的锗的硅波导偶联P – I-N光电二极管。我们的锗光电二极管显示超过260 GHz
朝向连贯的O波段数据中心互连
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